携帯URL

ケータイ用アドレス
携帯にURLを送る

このブログについて

  • 著作権の扱い方
    著作権はコメントを含めて投稿者に帰属します。投稿者本人が著作権をもち、責任も持つという意味です。 リンクはご自由にして構いません。 原則公開です。 批判も含めてコメントは公開いたしますが、営利目的などの記事は、管理者権限で削除することがあります。コメントは管理者の承認後、反映されます。 ただし、TBは現在許可していません。

著作

  • 共著:「次世代センサハンドブック」培風館(2008)、「マイクロセンサ工学」技術評論社(2009.8)
  • 連絡先
    私への講演、セミナー、技術指導などのご依頼はこちらまで↓ okayamaproあっとまーくyahoo.co.jp あっとまーくは半角の@にしてください
  • 単独著
    アナログ電子回路設計入門 (1994.12)、コロナ社: 実践アナログ回路設計・解析入門 (2005.1)、日刊工業: オペアンプ基礎回路再入門 (2005.7)、日刊工業: ダイオード・トランジスタ回路入門 (2005.12)、日刊工業: スイッチングコンバータ回路入門 (2006.9)、日刊工業: これならわかるアナログ電子回路基礎技術 (2007.6)

専門とする事項

  • 電源を含む精密アナログ電子回路の設計・開発、およびその教育、技術指導。センサ・アクチュエータシステムの構築。電子機器の不良解析指導および再発防止指導。解析主導型設計の推進と回路シミュレータの実践的活用指導。技術的側面からのプロジェクト管理指導。

Twitter

新刊

  • 岡山 努: アナログ電子回路の基礎と入門!これ1冊

« インダクタンスの逆起電力 | トップページ | コンデンサの基本式 »

2009年11月10日 (火)

ピンチ抵抗

ピンチ抵抗は、拡散プロセスで作る抵抗で比較的高いシート抵抗が得られる。

その構造は接合型FETとトポロジー的には同じなので、電圧依存性を持つ。浅い拡散と薄い絶縁膜で作ればFET特性になる。通常のアナログバイポーラプロセスでは、数10kΩ程度の抵抗を作るために用いられる。

この抵抗は電圧が高くなるにつれ、定電流的(抵抗値が高くなる)になるので、たとえば、カレントミラー回路に使い、オペアンプ回路全体の消費電流を決定する部分に使う。

ピンチ抵抗を用いれば、オームの法則に従う抵抗に比べ、消費電流の電源電圧変化の小さい性能が得られる。通常は、チャネル部に相当する部分にアルミ電極をつけて抵抗値を調整する。

MEMSで使われるピエゾ抵抗は通常ゲート電極を持たない拡散抵抗で作られる。ゲート電極のアルミ膜を付けると、アルミとシリコンの熱膨張差で温度によるヒステリシスが生じやすいからである。センサとして用いられるピエゾ抵抗は、ゲージファクタが100前後と大きいが小ひずみを測定する場合もあるのでppmオーダーの安定性が必要である。

ゲート電極のないFETは、通電とともにゆっくりと酸化膜表面の電位が安定状態に向かうので、非常にゆっくりとしたドリフトとそのドリフトの温度依存性が認められる。

この対策には、抵抗部の酸化膜の電位を固定してやればよいので、蒸着プロセスとエッチングプロセスを追加することになる。

MEMSセンサにおいて、構造物の微小化に伴い、浅い拡散あるいはイオン打ちこみによる抵抗体の形成と薄い酸化膜の使用は必然となる。ますます、FET効果は顕著になってくるだろう。しかし、安価な用途では、これらのドリフトを消去することなく通常プロセスで作られているであろう。

『人気Blogランキング』の「自然科学」部門に参加しています。今日も応援の貴重な1票をよろしくお願いします。【押す】

2009年11月10日 (火) 電子回路 | 固定リンク

« インダクタンスの逆起電力 | トップページ | コンデンサの基本式 »

「電子回路」カテゴリの記事

コメント

この記事へのコメントは終了しました。

2021年11月
日 月 火 水 木 金 土
1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30

現在のランキング

  • AltStyle によって変換されたページ (->オリジナル) /