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トランジスタのVBEやhFEは温度と電圧などの影響を受ける。
たとえば電源電圧変動に伴う特性変化を予測するには、ベース・エミッタ間電圧VBEと電流増幅率hFEの温度と電圧変化を基に計算する。
半導体素子では、消費電力の増加に伴うチップ温度上昇があるから、温度に伴う半導体素子の諸パラメータの変化(時間遅れがある)と電圧の変化に伴う電気的特性の変化(即時に反映)を求めることになる。
温度上昇の予測には放熱計算も必要である。
電子回路の電圧影響は、本来、予測して作り込むべき性能指標である。
そして、どのくらいの範囲の電源電圧変化を許容するかは、設計事項である。
素子の耐電圧、消費電力やスイッチング回路ならスイッチング時間などが主な検討項目となる。
注意深く電源電圧を変えた回路の試験を行うと、回路の温度特性のオーダーも温度試験前に予測できる。
電源電圧影響を作り込むことは、半導体素子の温度と電圧依存性を定量的に把握しておくことから始まるが、許容範囲はまた別の要因に支配されている。
十分な設計的作り込みがされている回路なら、電源電圧の許容範囲は当然公称値より広い。
アナログエンジニアは限界試験に対しては懐疑的である。性能を作り込む過程において、短期間の過酷条件に耐える設計になっていなければ、高温・過電圧に対応できないからである。試験に耐えるのは当然で、その前兆は電圧影響からもおよその見当がつく。
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