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    私への講演、セミナー、技術指導などのご依頼はこちらまで↓ okayamaproあっとまーくyahoo.co.jp あっとまーくは半角の@にしてください
  • 単独著
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  • 電源を含む精密アナログ電子回路の設計・開発、およびその教育、技術指導。センサ・アクチュエータシステムの構築。電子機器の不良解析指導および再発防止指導。解析主導型設計の推進と回路シミュレータの実践的活用指導。技術的側面からのプロジェクト管理指導。

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2007年12月 7日 (金)

IGBT

IGBT(Insulate gate bipolar trannsister),は日本語では絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタである。パワーMOS-FETよりも大電力用途が主体で,その素子特性はMOSFETに近い。

IGBTはnチャネルパワーMOS-FETとpnpバイポーラトランジスタの異種ダーリントン接続により,かなり,その特性を表現できる。

入力はMOS-FETのゲート,出力はpnpトランジスタのエミッタ,共通端子はMOS-FETのソースとpnpトランジスタのコレクタの接続点で内部で,MOS-FETのドレインとpnpトランジスタのベースが接続されている。

トランジスタ部の電流増幅率は,1-5程度と低く高耐圧バイポーラトランジスタに近いとされる。

等価回路がMOS-FETトップの異種ダーリントン接続だから,入力特性はnチャネルMOS-FETに近い。

ON時の飽和電圧は,トランジスタのVBEに,パワーMOS-FETがトランジスタを駆動するために必要なVGDを加算した値0.8-2V程度となる。

一般的にIGBTはパワーMOS-FETより低速ではあるが,単素子で10kVA程度まで扱うことができる。また,IGBTはMOS-FETとバイポーラトランジスタの複合素子なので,電子回路的感覚で大電力スイッチングを行うことが出来る。

扱う電流が大きいので,配線の寄生インダクタンスの影響に十分注意を払った布線と熱設計が必要である。

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2007年12月 7日 (金) 電子回路 | 固定リンク

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