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  • 単独著
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  • 電源を含む精密アナログ電子回路の設計・開発、およびその教育、技術指導。センサ・アクチュエータシステムの構築。電子機器の不良解析指導および再発防止指導。解析主導型設計の推進と回路シミュレータの実践的活用指導。技術的側面からのプロジェクト管理指導。

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2007年8月 3日 (金)

接合電圧の温度係数

_1837 ←庭に咲いたきゅうりの雌花

後何日で食べごろになるかなー

Siダイオードやベースエミッタ間電圧VBEの温度係数は約-2mV/°Cといわれる。文献によっては-1.7mV/°Cから-2.3mV位の数字がでてくる。

接合電圧の温度依存性は、接合電圧が大きくなるとその絶対値は小さくなる。

理論計算で得た温度係数αを表す式は

α=-(Vj-Eg)/T Eg:その温度でのバンドギャップ、Vj:接合電圧 T:絶対温度

である。拡散電流が主体であるか、再結合電流が主体であるかに依存してEgの補整項が数10mVはいる。

アナログエンジニアはこの式を用いて、電子回路の温度係数予想に使用している。

接合の直列抵抗が寄与してくる高電流密度領域では、寄生抵抗の+の温度係数が加算されるのでVjが0.8V程度と高いと、見かけ上の温度係数は-1.5mV以下まで下がることがある。

極端に低い電流密度では-3mV/°Cくらいまで上昇する。

接合電圧の温度係数は一定ではないのだ。半導体素子の使い方に依存する。

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2007年8月 3日 (金) 電子回路 | 固定リンク

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「電子回路」カテゴリの記事

コメント

きゅうりおいしそうですね^^

投稿: | 2009年6月 1日 (月) 11時34分

一昨年の夏ですが,何本か美味しく食べました。
完全無農薬・有機肥料のきゅうりです。
今年は,夏野菜を植えていません。

投稿: 5513 | 2009年6月 1日 (月) 13時18分

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