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Eiこれは、おそらく世界初の3D-MEMSの構造図の写真。
学術的価値は高いものだが、学会発表はしていない。当時の上長が許さなかったのだ。
この構造より性能評が劣り、しかも時間的に私の方が先の構造でSICEの招待講演が出来たレベルのものだ。
アナログエンジニアはこの特許に強い思い出がある。
特許登録No:P01483019 (1989)で広い請求範囲で成立した。当然、発明者はアナログエンジニア単独。
半導体微差圧(500Pa FS)や絶対圧の測定が可能。しかも、この感度で大撓み理論から、1500hPaの過大圧に耐える。
回路を少し工夫すれば、航空機用気圧高度計にも使える性能をもつ。
測定範囲が500Paにしているのは、精密な校正手段がなかったからだ。
温度補償はゼロ点、感度およびゼロ温度補償と感度の干渉項の2-3次の温度補償(P01007153)などの方法で実現した。
図にあるように、通常のSiダイアフラムセンサより1工程プロセスが長いので今は製作されていない。
共振周波数は数kHzで、知り合いの東大の教授が実測してくれた。音波にもドアの開閉時の気圧変化にも応答する。
アナログエンジニアのいくつかのセンサ特許の一例である。
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