三谷 祐一郎

MISC

• ナノ抵抗変化メモリデバイスを用いたバイナリニューラルネットワークに向けた重み分布分裂学習

  楠瀬黎, 丸亀孝生, 川合遼一, 三谷祐一郎, 安藤洸太, 浅井哲也

  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
• ナノ抵抗変化メモリ素子を用いたニューラルネットワークのスケールアウトへの展望

  丸亀孝生, 楠瀬黎, 川合遼一, 三谷祐一郎

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
• 脳型学習LSIのための金属酸化物デバイスのスパイク時間依存可塑性

  丸亀 孝生, 市原 玲華, 野村 久美子, 安田 心一, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 2981-2981 2017年8月25日
• ディープラーニング ハードウェアの低消費電力化に寄与する学習時メモリーエラー解析手法

  丸亀孝生, 西義文, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 72(2) 38-39 2017年 責任著者
• PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用

  陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 71(2) 23-26 2016年 最終著者
• NiSi/Siショットキー障壁を変調する硫黄不純物の電子状態解析

  丸亀 孝生, 吉木 昌彦, 西 義史, 加藤 弘一, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2839-2839 2014年3月3日
• 不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響

  加藤 弘一, 丸亀 孝生, 西 義史, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2840-2840 2014年3月3日
• 微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明

  陳ジィエジィ, 平野泉, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 68(8) 27-30 2013年 最終著者
• 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術

  深津茂人, 平野泉, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 65(7) 28-32 2010年 最終著者
• 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明

  三谷祐一郎, 佐竹秀喜

  東芝レビュー 57(11) 31-34 2002年 筆頭著者
• 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案

  佐竹秀喜, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 55(10) 58-61 2000年 最終著者
• 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討

  齋田 繁彦, 神林 茂, 三谷 祐一郎, 水島 一郎, 小池 三夫, 間 博顕, 小澤 良夫

  電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996(2) 296-296 1996年3月11日