三谷 祐一郎

基本情報

所属

東京都市大学 理工学部 電気電子通信工学科 教授

研究者番号

60732641

J-GLOBAL ID

202001000577309082

researchmap会員ID

R000006376

研究キーワード

• 不揮発性メモリ
• デバイス信頼性
• ナノエレクトロニクス
• 電子デバイス

研究分野

• ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / 薄膜固体物性
• ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / ナノデバイス信頼性工学

経歴

• 2020年4月 - 現在

  東京都市大学, 理工学部 電気電子通信工学科, 教授
• 2019年10月 - 2020年3月

  キオクシア株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部, グループ長
• 2019年4月 - 2019年9月

  東芝メモリ株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部, グループ長
• 2017年10月 - 2019年3月

  東芝メモリ株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター 新規メモリ開発部, 主幹
• 2012年7月 - 2017年9月

  株式会社東芝, 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ, 研究主幹
• 2006年7月 - 2012年6月

  株式会社東芝, 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ, 主任研究員
• 1999年4月 - 2006年6月

  株式会社東芝, 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ, 研究主務
• 1997年4月 - 1999年3月

  株式会社東芝, 先端半導体デバイス研究所研究開発グループ(研究第二担当)
• 1995年4月 - 1997年3月

  株式会社東芝 ULSI研究所, 研究開発グループ(研究第四担当)
• 1992年4月 - 1995年3月

  株式会社東芝 ULSI研究所

学歴

• - 2009年1月

  東京大学, 工学部, 工学博士(論文博士)
• 1990年4月 - 1992年3月

  東北大学, 大学院工学研究科, 材料物性学専攻
• 1986年4月 - 1990年3月

  東北大学, 工学部, 材料物性学科
• 1983年4月 - 1986年3月

  東京都立西高等学校

委員歴

• 2022年5月 - 現在

  International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -, Program Committee Vice Chairperson
• 2020年4月 - 現在

  International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Nanodevices Technical Committee member
• 2009年5月 - 現在

  IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), Reliability Session Chair
• 2020年10月 - 2024年4月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Memory Reliability Technical Committee member
• 2020年6月 - 2023年6月

  IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM), Semiconductor Devices sub-committee
• 2022年4月 - 2023年4月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Technical Program Committee Chair (TPC Chair), Memory Reliability
• 2015年10月 - 2023年4月

  IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), Subcommittee member
• 2021年4月 - 2022年4月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Memory Reliability Technical Committee vice-chair
• 2010年1月 - 2017年1月

  応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, 実行・プログラム委員
• 2014年4月 - 2015年4月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Transistor Reliability Physics Subcommittee
• 2014年1月 - 2015年1月

  応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, プログラム委員長
• 2014年1月 - 2015年1月

  応用物理学会協賛電子デバイス界面テクノロジー研究会, 実行委員長
• 2013年6月 - 2014年12月

  IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), CMOS Reliability and Yield subcommittee member
• 2012年5月 - 2013年5月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Gate Dielectrics Subcommittee
• 2010年5月 - 2011年5月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Gate Dielectrics Subcommittee Chair
• 2008年4月 - 2010年4月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Device Dielectric Breakdown Subcommittee
• 2007年5月 - 2008年5月

  IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Dielectrics Subcommittee
• 2005年5月 - 2008年5月

  IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), Ultra-thin gate dielectric reliability subcommittee member
• 2004年9月 - 2008年3月

  応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, 半導体Aプログラム編集委員
• 2004年9月 - 2007年1月

  応用物理学会, 半導体A企画運営委員兼プログラム編集委員長

受賞

• 2023年11月

  Young Researcher Award, International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -

  Tatsuya Suzuki, Yohei Miyaki, Yuichiro Mitani
• 2017年11月

  Young Award, Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Annealing, 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY –

  H. Seki, Y. Kamimuta, Y. Mitani
• 2017年4月

  功績賞, IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT)

  三谷祐一郎

論文

• Split weight distribution learning for binary neural networks exploiting nano-memristive graphene/sumanene/graphene devices

  Rei Kusunose, Takao Marukame, Ryoichi Kawai, Yuichiro Mitani, Alexandre Schmid, Kota Ando, Tetsuya Asai

  Japanese Journal of Applied Physics 64(4) 04SP05-04SP05 2025年4月1日
• Evaluation of the effect of hydrogen plasma treatment on the chemical bonding state and distribution of hydrogen in silicon nitride films by angle-resolved hard X-ray photoelectron spectroscopy

  Yoshiharu Kirihara, Haruto Omata, Akira Yasui, Kiyokazu Nakagawa, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira

  Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 01SP29-01SP29 2025年1月1日 責任著者
• 三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用

  三谷 祐一郎

  電子情報通信学会誌 107(4) 296-303 2024年4月 招待有り筆頭著者
• Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES

  Tomoya Tsutsumi, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Tatsuki Okazaki, Akira Yasui, Kuniyuki Kakushima, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira

  Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP66-04SP66 2024年4月1日 査読有り
• Resistive switching memory using buckybowl sumanene-inserted bilayer graphene

  Eito Ashihara, Ryoichi Kawai, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP35-04SP35 2024年4月1日 査読有り最終著者責任著者
• Impact of hydrogen plasma treatment on fluorine-contained silicon nitride films

  Takumi Kobayashi, Haruto Omata, Kiyokazu Nakagawa, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP47-04SP47 2024年4月1日 査読有り最終著者責任著者
• Study on the relation between interface trap creation and MOSFET degradation under channel hot carrier stressing at cryogenic temperatures

  Tatsuya Suzuki, Yohei Miyaki, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP22-04SP22 2024年3月22日 査読有り最終著者責任著者
• Stacked structure dependence on resistive switching characteristics in sumanene molecular memory

  Ryoichi Kawai, Eito Ashihara, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP05-04SP05 2024年3月18日 査読有り最終著者責任著者
• Study on Interface Trap and Fixed Charge Generation under Channel Hot Carrier Stressing at Low Temperature Using Device Simulation

  Yohei Miyaki, Tatsuya Suzuki, Yuichiro Mitani

  2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2023年11月16日 査読有り最終著者責任著者
• Fabrication of metal/oxide/fluorographene/oxide/silicon capacitors and their charge trapping properties

  Rino Kawashima, Hiroshi Nohira, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 62(SG) SG1035-SG1035 2023年3月23日 査読有り最終著者
• Re-consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities

  Yuichiro Mitani

  2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2021年4月8日 査読有り招待有り筆頭著者
• Further Investigation on Mechanism of Trap Level Modulation in Silicon Nitride Films by Fluorine Incorporation

  Harumi Seki, Yasushi Nakasaki, Yuichiro Mitani

  2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2020年4月 査読有り最終著者
• Dramatic Improvement of Vfb Shift and Gmmax with Ultra-thin and Ultra-low-leakage SiN-based SiON Gate Dielectrics

  Kouichi Muraoka, D. Matsushita, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Kikuchi, K. Sakuma, Y. Mitani, K. Eguchi, Mariko Takayanagi

  ECS Transactions 6(3) 313-327 2019年12月19日 査読有り責任著者
• Impact of Deuterium and Fluorine Incorporation on Weibull Distribution of Dielectric Breakdown in Gate Dielectrics

  Yuichiro Mitani, Hideki Satake, Akira Toriumi

  ECS Transactions 19(2) 227-242 2019年12月18日 査読有り招待有り筆頭著者
• (Invited) A Study of Dielectric Breakdown Mechanisms in MG/HK MISFETs: From the Viewpoint of TDDB Statistics

  Izumi Hirano, Koichi Kato, Yasushi Nakasaki, Shigeto Fukatsu, Motoyuki Sato, Seiji Inumiya, Masakazu Goto, Katsuyuki Sekine, Yuichiro Mitani

  ECS Transactions 33(3) 507-519 2019年12月17日 査読有り招待有り最終著者責任著者
• Metal-Assisted Solid-Phase Crystallization Process for Vertical Monocrystalline Si Channel in 3D Flash Memory

  Hidenori Miyagawa, Makoto Fujiwara, Yuichiro Mitani, Tomoyuki Obu, Hideaki Aochi, Haruka Kusai, Riichiro Takaishi, Tomoya Kawai, Yuuichi Kamimuta, Toshiya Murakami …

  Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2019-December 2019年12月 査読有り
• Investigation of Switching-Induced Local Defects in Oxide-Based CBRAM Using Expanded Analytical Model of TDDB

  Reika Ichihara, Shosuke Fujii, Marina Yamaguchi, Yoko Yoshimura, Yuichiro Mitani, Masumi Saitoh

  IEEE Transactions on Electron Devices 66(5) 2165-2171 2019年5月 査読有り責任著者
• Evaluation of electron traps in SiNx by discharge current transient spectroscopy: verification of validity by comparing with conventional DLTS

  Harumi Seki, Kazuhiko Yamamoto, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 58(SB) SBBK02-SBBK02 2019年4月1日 査読有り最終著者
• Random Telegraph Noise after Hot Carrier Injection in Tri-gate Nanowire Transistor

  Kensuke Ota, Reika Ichihara, Masamichi Suzuki, Masumi Saitoh, Yuichiro Mitani

  2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 169-171 2019年3月 査読有り
• Experimental evidence of trap level modulation in silicon nitride thin films by hydrogen annealing

  Harumi Seki, Yuuichi Kamimuta, Yuichiro Mitani

  Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 06KB04-06KB04 2018年6月1日 査読有り最終著者

MISC

• ナノ抵抗変化メモリデバイスを用いたバイナリニューラルネットワークに向けた重み分布分裂学習

  楠瀬黎, 丸亀孝生, 川合遼一, 三谷祐一郎, 安藤洸太, 浅井哲也

  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
• ナノ抵抗変化メモリ素子を用いたニューラルネットワークのスケールアウトへの展望

  丸亀孝生, 楠瀬黎, 川合遼一, 三谷祐一郎

  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
• 脳型学習LSIのための金属酸化物デバイスのスパイク時間依存可塑性

  丸亀 孝生, 市原 玲華, 野村 久美子, 安田 心一, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 2981-2981 2017年8月25日
• ディープラーニング ハードウェアの低消費電力化に寄与する学習時メモリーエラー解析手法

  丸亀孝生, 西義文, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 72(2) 38-39 2017年 責任著者
• PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用

  陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 71(2) 23-26 2016年 最終著者
• NiSi/Siショットキー障壁を変調する硫黄不純物の電子状態解析

  丸亀 孝生, 吉木 昌彦, 西 義史, 加藤 弘一, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2839-2839 2014年3月3日
• 不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響

  加藤 弘一, 丸亀 孝生, 西 義史, 三谷 祐一郎

  応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2840-2840 2014年3月3日
• 微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明

  陳ジィエジィ, 平野泉, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 68(8) 27-30 2013年 最終著者
• 次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術

  深津茂人, 平野泉, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 65(7) 28-32 2010年 最終著者
• 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明

  三谷祐一郎, 佐竹秀喜

  東芝レビュー 57(11) 31-34 2002年 筆頭著者
• 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案

  佐竹秀喜, 三谷祐一郎

  東芝レビュー 55(10) 58-61 2000年 最終著者
• 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討

  齋田 繁彦, 神林 茂, 三谷 祐一郎, 水島 一郎, 小池 三夫, 間 博顕, 小澤 良夫

  電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996(2) 296-296 1996年3月11日

書籍等出版物

• 薄膜作製応用ハンドブック

  権田, 俊一, 酒井, 忠司, 田畑, 仁, 八瀬, 清志, 宮崎, 照宣 (担当:分担執筆, 範囲:第4編 薄膜技術の応用と展望 第1章 電子デバイス 第1節 LSI 5. 3 次元フラッシュメモリ用薄膜)

  エヌ・ティー・エス 2020年2月 (ISBN: 9784860436315)

講演・口頭発表等

• 18a-PA2-16 スマネンに着想を得た脳型コンピューティング接続機能としてのバイナリリザバーコンピューティング

  楠瀬 黎, ヴェラスコ オリバー, 松﨑 文音, 安達 誠二, 安藤 洸太, 浅井 哲也, 三谷 祐一郎, 丸亀 孝生

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月18日
• 16a-M_178-3 積層グラフェン/スマネン/グラフェン構造が抵抗スイッチング特性に及ぼす影響

  田畑 佳夏, 川合 遼一, 藤江 麗香, 勝亦 亮介, 君島 海都, 金子 知穏, 金 賢俊, 野平 博司, 石川 亮佑, 三谷 祐一郎

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
• 16a-M_178-2 SumaneneおよびCorannuleneにおける線状連鎖構造差に起因した電気特性の比較

  勝亦 亮介, 川合 遼一, 藤江 麗香, 田畑 佳夏, 君島 海都, 金子 知穏, 金 賢俊, 桐原 芳治, 野平 博司, 石川 亮佑, 三谷 祐一郎

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
• 16a-M_178-1 コラニュレン分子を用いた積層構造の抵抗変化現象

  川合 遼一, 金子 知隠, 勝亦 亮介, 藤江 麗香, 田畑 佳夏, 金 賢俊, 桐原 芳治, 君島 海都, 野平 博司, 石川 亮祐, 三谷 祐一郎

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
• 16p-PB4-28 電荷トラップ型不揮発性メモリ性能向上に向けたフッ化グラフェン積層化プロセス

  諸星 雄太, 眞下 航平, 石川 亮佑, 野平 博司, 三谷 祐一郎

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月16日
• 15a-W8E_101-6 極薄CET(< 1 nm)High-kゲートスタックのための酸素パッシベーション界面層(O-PAS IL)の形成

  森田 行則, 川那子 高暢, 神岡 武文, 三谷 祐一郎, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 深田 直樹, ジェバスワン ウイパコーン, 塚越 一仁, 星井 拓也, トープラサートポン, カシディット, 田村 敦史, 喜多 浩之, 岡田 直也, 間部 謙三, 水林 亘, 太田 裕之, 松川 貴, 右田 真司

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
• 15p-W8E_101-10 分光チャージポンピング法を用いたストレス印加後における界面準位のエネルギー分布変化に関する研究

  枡川 祐太郎, 堀古 雄太, 三谷 祐一郎

  第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
• Oxygen-Passivated (O-PAS) Interfacial Layer for Ultra-Scaled (CET 0.97 nm) High-k Gate Stacks

  Yukinori Morita, Takamasa Kawanago, Takefumi Kamioka, Yuichiro Mitani, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Naoki Fukata, Wipakorn Jevasuwan, Kazuhito Tukagoshi, Takuya Hoshii, Kasidit Toprasertpong, Koji Kita, Naoya Okada, Kenzo Manabe, Wataru Mizubayashi

  10th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM2026) 2026年3月3日
• Hole Trap Modulation in SiN Films by Hydrogen Plasma Treatment

  Y. Mitani, Y. Kirihara, H. Omata, K. Nakagawa, H. Nohira

  56th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 2025年12月12日
• A Study on Energy Distribution of Post-stressed Interface states using spectroscopic charge pumping method

  Y. Masukawa, Y. Horiko, Y. Mitani

  56th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 2025年12月11日
• Estimation of Charge Trap Positions in Silicon Nitride Films Using Voltage-applied Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

  Yoshiharu Kirihara, Hideyuki Yato, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• Depth profile analysis of charge trapping and chemical bonding states in Ni/SiO2/AlN/GaN structures by voltage-applied AR-HAXPES

  Shunsuke Yamaguchi, Yoshiharu Kirihara, Yuichiro Mitani, Mariko Shimizu, Yukio Nakabayashi, Yosuke Kajiwara, Hiroshi Nohira

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• New Insights into MOS Interface Degradation of pMOSFETs and nMOSFETs at Cryogenic Temperature

  Yuta Horiko, Yutaro Masukawa, Yuichiro Mitani

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• Study on Defect Generation in Ferroelectric AlScN from TDDB Statistical Point of View

  Haruro Inoue, Yuki Yamada, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• Effect of Plasma Treatment on Performance of AlScN-Based Ferroelectric Tunnel Junctions

  Yuki Yamada, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Ryouichi Kawai, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• Anomalous Vg-Id Characteristics of GaN Power Device due to Ga penetration into AlN Interfacial Layers

  Yusuke Katsuro, Yoshiharu Kirihara, Shunsuke Yamaguchi, Makito Nishi, Mariko Shimizu, Yukio Nakabayashi, Yousuke Kajiwara, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani

  2025 International Workshop on "Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology" (IWDTF2025) 2025年11月5日
• 極低温下におけるnMOSFETのチャネルホットキャリア(CHC)劣化とF-Nストレス劣化の相違

  鈴木 達也, 宮木 耀平, 三谷 祐一郎

  第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
• 極低温下のMOSFET劣化における2種類の固定電荷生成

  宮木 耀平, 鈴木 達也, 三谷 祐一郎

  第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
• ナノ抵抗変化メモリデバイスを用いたバイナリニューラルネットワークに向けた重み分布分裂学習

  楠瀬 黎, 丸亀 孝生, 川合 遼一, 三谷 祐一郎, 安藤 洸太, 浅井 哲也

  72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月16日
• フッ化グラフェンの電荷捕獲機構の考察 -プラズマを用いたCVDグラフェンのフッ化とその構造-

  大井川 惇允, 桐原 芳治, 眞下 航平, 野平 博司, 石川 亮佑, 三谷 祐一郎

  第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日

担当経験のある科目(授業)

• 2022年4月 - 現在

  電磁気学応用 (東京都市大学)
• 2021年4月 - 現在

  電磁気学基礎演習 (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  SD-PBL(2) (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  SD-PBL(1) (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  電気磁気学(2)演習 (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  エレクトロニクス工学/集積回路工学 (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  電気磁気学(1)演習 (東京都市大学)
• 2020年4月 - 現在

  ナノエレクトロニクス特論 (東京都市大学)
• 2022年4月 - 2023年3月

  物質科学特論B (奈良先端科学技術大学院大学)
• 2020年4月

  先端デバイス特論 (東京都市大学)

所属学協会

• 2018年1月 - 現在

  IEEE
• 1995年2月 - 現在

  応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

• 抵抗変化型スマネンメモリによるバイナリーニューラルネットワークとインメモリコンピューティング応用に向けた技術開発

  科学技術振興機構 産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/ステージI(育成フェーズ) 2025年 - 2027年

  三谷 祐一郎
• 原子状水素を用いたシリコン窒化薄膜のナノ欠陥制御と信頼性向上に関する研究

  日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

  三谷 祐一郎
• マイクロ波励起プラズマ処理によるシリコン窒化膜中水素濃度分布制御と電圧駆動型固体素子ニューロンの開発

  国立研究開発法人科学技術振興機構 研究成果展開事業(研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)) 2022年10月 - 2024年3月

  三谷祐一郎
• 趙微粒子制御クリーニング基礎技術

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 委託業務 1999年 - 2000年

  三谷祐一郎, 佐竹秀喜, 伊藤仁, 鳥海明

産業財産権

• US9983818 Individual identification device, storage device, individual identification system, method of individual identification, and program product

  Chen Jiezhi, Mitani Yuichiro, Tanamoto Tetsufumi, Takao Marukame
• 特許6290057 復号装置、復号方法およびメモリシステム

  西 義史, 丸亀 孝生, 三谷祐一郎
• 特許6282535 メモリシステムおよび制御方法

  陳 ジィエジィ, 三谷祐一郎
• 特許6239471 認証システム、認証装置および認証方法

  棚本哲史, 丸亀孝生, 安田心一, 三谷祐一郎, 藤田忍
• US9794073 Information processing system and semiconductor device

  Chen Jiezhi, Tanamoto Tetsufumi, Mitani Yuichiro
• US9755064 Semiconductor device and method for manufacturing the same

  Ohash Teruyuki, Mitani Yuichiro, Shimizu Tatsuo, Iijima Ryosuke
• US9698236 Semiconductor device and method for manufacturing the same

  Matsushita Daisuke, Mitani Yuichiro
• US9672103 Decoding device, decoding method, and memory system

  Nishi Yoshifumi, Marukame Takao, Mitani Yuichiro
• 特許6151203 演算制御装置、それを備えたメモリシステム、および、情報処理装置

  陳ジィエジィ, 松澤一也, 丸亀孝生, 三谷祐一郎
• US9665426 Semiconductor device and reading method

  Chen Jiezhi, Takahashi Kuniharu, Nagashima Hiroyuki, Mitani Yuichiro, Matsudera Katsuki, Kanebako Kazunori
• 特許6129654 認証装置、認証方法およびプログラム

  棚本哲史, 丸亀孝生, 安田心一, 三谷祐一郎, 新保淳, 岸達也
• 特許6129699 個体識別装置、記憶装置、個体識別システム、その方法、およびプログラム

  陳ジィエジィ, 三谷祐一郎, 棚本哲史, 丸亀孝生
• 特許6121857 メモリシステムおよび制御方法

  丸亀孝生, 松澤一也, 西義史, 陳ジィエジィ, 東悠介, 三谷祐一郎
• 特許6104676 メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法

  陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎, 丸亀孝生
• US9584149 Comparator, AD converter, and wireless communication device

  Suzuki Masamichi, Mitani Yuichiro
• US9570181 Memory system

  Marukame Takao, Matsuzawa Kazuya, Nishi Yoshifumi, Chen Jiezhi, Higashi Yusuke, Mitani Yuichiro
• 特許6071524 不揮発性半導体記憶装置

  平野泉, 三谷祐一郎, 宮田正靖, 中崎靖, 加藤弘一, 松下大介, 高島章, 諸田美砂子
• US9530855 Semiconductor device with polycrystalline silicon film

  Suzuki Masamichi, Higashi Yusuke, Takaishi Riichiro, Tomita Mitsuhiro, Sakuma Kiwamu, Mitani Yuichiro
• 特許6034183 半導体記憶装置

  丸亀孝生, 栗田貴宏, 佐々木勇輝, 陳ジィエジィ, 東悠介, 三谷祐一郎
• US9460316 Authentication device, authentication method, and computer program product

  Tanamoto Tetsufumi, Marukame Takao, Yasuda Shinichi, Mitani Yuichiro, Shimbo Atsushi, Kishi Tatsuya

学術貢献活動

• IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Chair

  パネル司会・セッションチェア等, 査読

  IEEE 2022年4月1日 - 2024年4月19日
• IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Vice-Chair

  パネル司会・セッションチェア等

  IEEE 2021年4月1日 - 2022年3月31日
• IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Sub-committee

  査読

  IEEE 2020年4月1日 - 2021年3月31日
• IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) General Chair

  企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

  IEEE 2016年5月 - 2017年5月
• IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Conference Chair

  企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

  IEEE 2015年5月 - 2016年5月
• IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Treasurer

  企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

  IEEE 2014年5月 - 2015年5月
• IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Workshop Moderator

  パネル司会・セッションチェア等

  IEEE 2014年6月 - 2014年6月
• IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Secretary

  企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

  IEEE 2013年5月 - 2014年5月

社会貢献活動

• IEEE EDS Japan Joint Chapter Secretary

  運営参加・支援, その他

  IEEE EDS 2018年1月 - 2020年1月