台積電不用「最強曝光機」做得出1.4奈米?外媒曝解決法寶:這技術更有效益

台積電2奈米即將量產,並同時往1.4奈米製程研發邁進,不過在「埃米時代」中,台積電不打算使用艾司摩爾(ASML)最先進的「高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)」曝光機,引起產業關注。對此,科技媒體《Wccftech》指出,台積電使用「另一項技術」,來替代一台單價4億美元的最新曝光機,無疑更具成本效益,不過也有缺點需要克服。

報導表示,台積電隨著進一步邁向1.4奈米與1奈米節點,晶圓製造難度急遽上升,而在理論上,購買ASML的High-NA EUV曝光機,將能有效解決這個難題。不過台積電決定不採購這個價格高達4億美元的設備,而是改採「光罩護膜(Photomask Pellicles)」技術來克服。

報導提到,台積電目前已投入約新台幣1.5兆,在新竹廠開始1.4奈米的研發工作,同時購置了30個EUV機台。但High-NA EUV昂貴的單價,讓台積電認為其成本與實際效益並不成正比,因此轉而採用光罩護膜技術。

報導指出,不過使用光罩護膜也是一個代價高昂的挑戰,因為在標準EUV機上生產1.4奈米與1奈米晶圓時,需要更多次的曝光才能確保成功,導致負責阻擋灰塵進入的光罩使用頻率大幅增加,進而影響整體良率。

報導表示,台積電之所以選擇光罩護膜這條路,除了更具成本效益之外,也因為High-NA EUV還有另一個缺點,那就是ASML目前每年只能生產約5至6台,供應有限。相較之下,一次購買30個標準EUV,還能夠滿足蘋果等眾多客戶的龐大需求,因此砸重金購買量少價貴的High-NA EUV,對台積電的長期戰略並不划算。

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