Avec 366 par ans il n'y a pas de problèmes , même si tu ecris au même endroit car c'est le même endroit logique, le controleur va écrire a des endroits physiques différents ( des pages différentes de la NAND).
Une NAND SLC par exemple supporte 10 000 cycles d'effacements par blocks sachant que les écriture se font par page.
Par exemple pour une NAND SLC de 4Go (avec des blocks de 128k et des pages de 2k) tu peux faire en théorie au maximum:
4G/2k*10 000 = 20E9 écritures
En pratique le nombre est bien sur inférieur car il y aussi les écritures effectuées par le FS et les écritures dues au wear leveling, mais cela donne un ordre d'idée.
[^] # Re: Qui dit flash
Posté par luten . En réponse au message Système de fichier pour carte compact-flash. Évalué à 1.
Une NAND SLC par exemple supporte 10 000 cycles d'effacements par blocks sachant que les écriture se font par page.
Par exemple pour une NAND SLC de 4Go (avec des blocks de 128k et des pages de 2k) tu peux faire en théorie au maximum:
4G/2k*10 000 = 20E9 écritures
En pratique le nombre est bien sur inférieur car il y aussi les écritures effectuées par le FS et les écritures dues au wear leveling, mais cela donne un ordre d'idée.