Oui, en fait, on dope le silicium en rajoutant de l'alu (par exemple, mais valence 3) pour qu'il contienne plus de trou (comprendre absence d'éléctron), c'est la partie P du transistor, ou on le dope avec de l'arsenic (toujours un exemple mais valence 5) pour qu'il contienne plus d'éléctrons,partie N du transistor (un transistor NPN étant constitué de 3 partie différente: 2 N (collecteur et émeteur) et 1 P (base). Tout les transistor ne sont pas fait comme cela, mais c'est la base.
Mais le transistor est fait majoritairement de silicium OU de germanium, je vois mal comment le dopage peut s'effectuer avec du germanium. Le germanium doit avoir ici une autre raison d'être.
Par contre, je n'arrive pas à accéder au site, le proxy semble séêtre mis en tête de m'empécher de visiter les sites en .com :(
PS pour les valences, j'ai un énorme doute à présent.
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par Rin Jin . En réponse à la dépêche 110 Ghz : qui dit mieux !. Évalué à 3.
Mais le transistor est fait majoritairement de silicium OU de germanium, je vois mal comment le dopage peut s'effectuer avec du germanium. Le germanium doit avoir ici une autre raison d'être.
Par contre, je n'arrive pas à accéder au site, le proxy semble séêtre mis en tête de m'empécher de visiter les sites en .com :(
PS pour les valences, j'ai un énorme doute à présent.