Je n'ai lu que l'article en francais... Possible qu'ils n'aient rien compris aussi...
La caracteristique du Si-Ge est justement de pouvoir faire des MOS a la vitesse de l'AsGa
Et je ne vois pas en quoi cela caracterise quoique ce soit. Le SiGe est un dopant comme un autre: on l'utilise dans du bipolaire (0.35um) dans une boite de semi-conducteur francaise depuis un bout de temps. Et honnetement, je ne vois pas trop comment l'implementer dans un MOS. Mais je ne suis pas technologue...
[^] # Re: Transistor bipolaire !
Posté par Anonyme . En réponse à la dépêche Paf, Intel. Évalué à 0.
Je n'ai lu que l'article en francais... Possible qu'ils n'aient rien compris aussi...
La caracteristique du Si-Ge est justement de pouvoir faire des MOS a la vitesse de l'AsGa
Et je ne vois pas en quoi cela caracterise quoique ce soit. Le SiGe est un dopant comme un autre: on l'utilise dans du bipolaire (0.35um) dans une boite de semi-conducteur francaise depuis un bout de temps. Et honnetement, je ne vois pas trop comment l'implementer dans un MOS. Mais je ne suis pas technologue...
PK