D'abort il y aura le 0.15-.13 micron (fin de l'annee). Ensuite le 0.1-0.07, deux ans plus tard en gros. Puis, on verra le 0.05-0.02, mais on a encore le temps.
Entre temps, le SOI aura remplacer le Siliciuim puis sans doute le SOI-C (avec carbone) ou le "SOIGE" (du SIGE avec du SOI a la place du SI) aura fait ca perce (+50/100 % de perf).
Faire _un_ transistor en laboratoire (en en ayant louper 10 000) ne signifie rien devant l'imperatif de la production industriel qui reclame un rendement de l'ordre de 90 %.
Au fait, juste pour rire : a 0.07 um la couche d'oxyde isolante mesure a peine 10 atomes d'epaisseur. Amusant, non ?
# time line
Posté par Anonyme . En réponse à la dépêche La guerre du transistor va-t-elle avoir lieu ?. Évalué à 0.
Entre temps, le SOI aura remplacer le Siliciuim puis sans doute le SOI-C (avec carbone) ou le "SOIGE" (du SIGE avec du SOI a la place du SI) aura fait ca perce (+50/100 % de perf).
Faire _un_ transistor en laboratoire (en en ayant louper 10 000) ne signifie rien devant l'imperatif de la production industriel qui reclame un rendement de l'ordre de 90 %.
Au fait, juste pour rire : a 0.07 um la couche d'oxyde isolante mesure a peine 10 atomes d'epaisseur. Amusant, non ?
nicO