因涉嫌向中国泄露DRAM技术被捕的三星、海力士前高管获保释

作者: 时间:2025年09月29日 来源:

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据悉,三星电子和海力士半导体(现SK海力士)前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉,在接受一审期间被保释。
首尔中央地方法院刑事24庭(主审法官李英善,高级法官)15日批准崔某保释。崔于去年9月因违反《防止泄露和保护工业技术法》等罪名被捕起诉,并于今年3月被额外起诉。根据《刑事诉讼法》,一审拘留期为六个月。法院在拘留期届满前依职权准予保释。
此外,据报道,与崔一起被捕并被起诉的前三星电子高级研究员吴氏已于 8 月 28 日被保释。吴某于同月21日申请保释,法院受理。
两人的保释条件包括1亿韩元押金和居住限制。他们还必须在法院传唤时在规定的日期、时间和地点出庭,在出境前获得法院批准,不得逃跑或销毁证据。此外,他们被禁止与同案被告或其他与案件有关的人联系,并被要求佩戴能够实时跟踪其位置的电子设备。
此前,曾在三星电子和海力士半导体担任高管的崔与吴一起被逮捕并被起诉,罪名是向中国泄露三星电子自主研发的DRAM工艺技术。
崔等人泄露的DRAM半导体工艺技术被称为三星电子投资约4万亿韩元开发的国家核心技术。据检察官称,崔获得了一家中国半导体公司价值约860亿韩元的股权作为犯罪的报酬,并获得了18亿韩元的犯罪所得作为赔偿。崔与吴一起经营的中国半导体制造商成都高真 (CHJS) 公司也因同样的罪名受审。