Un MOS ou MOSFET ou IGFET est un transistor à effet de champ dont la grille est isolée, et qui agit donc sur la conductivité par effet capacitif en la réduisant dans un MOS à appauvrissement ou en l'augmentant dans un MOS à enrichissement (ou à canal induit).
Donc :
— un transistor MOS à appauvrissement est passant avec Vgs=0 et est de moins en moins passant lorsque |Vgs| augmente (positivement pour un canal P & négativement pour un canal N) ;
— un MOS à canal induit est bloqué avec Vgs=0 et deviennent passant lorsque |Vgs| augmente (positivement pour un canal N & négativement pour un canal P).
Symbole d'un MOS canal P à appauvrissement : MOS-P
Symbole d'un MOS canal P à enrichissement : MOS-P induit
Pour un canal N les flèches sont dans l'autre sens.
[^] # Re: Quelques rectifications.
Posté par teoB . En réponse à la dépêche Les actifs, au boulot !. Évalué à 3.
Un MOS ou MOSFET ou IGFET est un transistor à effet de champ dont la grille est isolée, et qui agit donc sur la conductivité par effet capacitif en la réduisant dans un MOS à appauvrissement ou en l'augmentant dans un MOS à enrichissement (ou à canal induit).
Donc :
— un transistor MOS à appauvrissement est passant avec Vgs=0 et est de moins en moins passant lorsque |Vgs| augmente (positivement pour un canal P & négativement pour un canal N) ;
— un MOS à canal induit est bloqué avec Vgs=0 et deviennent passant lorsque |Vgs| augmente (positivement pour un canal N & négativement pour un canal P).
Symbole d'un MOS canal P à appauvrissement :
MOS-P
Symbole d'un MOS canal P à enrichissement :
MOS-P induit
Pour un canal N les flèches sont dans l'autre sens.
Une vidéo sur le transistor bipolaire & une autre sur le transistor à effet de champ.