Intel 1103
L'Intel 1103 est un circuit intégré (CI) de mémoire vive dynamique (DRAM) développé et fabriqué par Intel. Introduit en , la 1103 fut le premier circuit intégré DRAM commercialement disponible ; et en raison de sa petite taille physique et de son faible prix par rapport à la mémoire à tores magnétiques, il remplaça celle-ci dans beaucoup d'applications[1] ,[2] . Quand il fut introduit en 1970, les rendements initiaux de production étaient faibles, et ce n'est qu'au cinquième stepping des masques de production qu'il est devenu disponible en grandes quantités en 1971. Intel expédia la 250000e puce de RAM 1103 en [3] .
Développement
[modifier | modifier le code ]En 1969, William Regitz et ses collègues d'Honeywell inventèrent une cellule mémoire (en) dynamique à trois transistors et commencèrent à prospecter l'industrie des semi-conducteurs pour trouver un fabricant. La société Intel Corporation récemment fondée répondit et développa deux puces 1024 bits très similaires, la 1102 et la 1103, sous la direction de Joel Karp, travaillant en étroite collaboration avec William Regitz[4] . Finalement, seule la 1103 fut mise en production.
Microsystems International (en) devint la première seconde source du 1103 en 1971[5] . Ensuite, National Semiconductor, Signetics et Synertek fabriquèrent également la 1103.
Détails techniques
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Références
[modifier | modifier le code ]- ↑ Jacob, Bruce et al. (2008). Memory Systems: Cache, DRAM, Disk. Morgan Kaufmann Publishers. pp. 457–458.
- ↑ (en) Mary Bellis, « Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip », ThoughtCo,
- ↑ (en) « A Milestone for the 1103 »
- ↑ (en) « "Oral History of Joel Karp" Interviewed by Gardner Hendrie », Computer History Museum,
- ↑ (en) Richard S. Tedlow, Andy Grove: The Life and Times of an American, Portfolio, , 141–142 (ISBN 9781591841395)
- ↑ (en) Bo Lojek, History of Semiconductor Engineering, Springer Science & Business Media, , 362–363 p. (ISBN 9783540342588, lire en ligne)