Фоторезист (от фото... и англ. resist – сопротивляться, препятствовать), полимерный светочувствительный слой, нанесённый на поверхность полупроводниковой пластины с окисной плёнкой. Фоторезист используются в полупроводниковой электронике и микроэлектронике (см., например, Планарная технология ) для получения на пластине «окон» заданной конфигурации, открывающих доступ к ней травителя. В результате экспонирования Фоторезист через наложенный на него стеклянный шаблон нужного рисунка ультрафиолетовым излучением (иногда электронным лучом) свойства его меняются: либо растворимость Фоторезист резко уменьшается (негативный Фоторезист), либо он разрушается и становится легко удалимым (позитивный Фоторезист). Последующая обработка растворителем образует в Фоторезист «окна» на необлучённых участках негативного Фоторезист или облученных участках позитивного Фоторезист Типичные Фоторезист: негативные – слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты , слои циклизованного каучука с добавками, вызывающими «сшивание» макромолекул под действием света; позитивные – феноло- или крезолоформальдегидная смола с о-нафтохинондиазидом. См. также Фотолитография .
Лит.: Фотолитография и оптика, М. – Берлин, 1974; Мазель Е. З., Пресс Фоторезист П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974.