2000V 12-100mΩ CoolSiCTM MOSFET
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CoolSiCTM 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiCTM技术的输出电流能力强,可靠性提高。
本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202402/455487.htm图片
产品型号:
▪️ IMYH200R012M1H
▪️ IMYH200R024M1H
▪️ IMYH200R050M1H
▪️ IMYH200R075M1H
▪️ IMYH200R0100M1H
产品特点
■しかく VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统
■しかく 开关损耗极低
■しかく 创新的HCC封装
■しかく 针脚间爬电距离为14毫米
■しかく 5.4毫米电气间隙
■しかく 栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V
■しかく 用于硬换流的坚固体二极管
■しかく .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
■しかく 高耐湿性
应用价值
■しかく 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻断电压高达2000V
■しかく 1500V的DC的变流器可以用两电平实现
■しかく 与1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系统具有足够的过压裕量
■しかく 创新的TO-247封装,具有高爬电距离和间隙
应用领域
■しかく 光伏逆变器
■しかく 储能系统
■しかく 电动汽车充电