Фотокатод, катод электровакуумного прибора, эмиттирующий электроны под действием света (см. Фотоэлектронная эмиссия ). Для изготовления Фотокатод обычно используют вещества на основе соединений элементов I группы периодической системы Менделеева с элементами V или VI группы. Наибольшее распространение получили следующие Фотокатод: кислородно-серебряно-цезиевые (состоят из Cs 2O с примесью свободного Cs и вкраплениями чистого Ag); сурьмяно- цезиевые (Cs 3Sb); многощелочные Фотокатод (состоят из соединений Sb с Cs и Sb с К и Na). Вещество наносят в виде мономолекулярного слоя на металлическую или стеклянную пластинку (подложку). Фотокатод бывают непрозрачные (они освещаются со стороны вакуума) и полупрозрачные (освещаются со стороны подложки).
Основной параметр, характеризующий эффективность Фотокатод, – интегральная чувствительность (ИЧ), равная отношению фототока к вызывающему его световому потоку. Например, у непрозрачных кислородно-серебряно-цезиевых и сурьмяно- цезиевых Фотокатод ИЧ составляет 100–120 мка/лм; у непрозрачных многощелочных Фотокатод ИЧ достигает 1000 мка/мл, у полупрозрачных – 600 мка/лм.
В 60-х гг. 20 в. разработаны Фотокатод нового типа, получившие название Фотокатод с отрицательным электронным сродством (см. Сродство к электрону ). К ним относятся Фотокатод, выполненные на основе соединений типа AIII B V например Ga As (чувствительные к видимому свету), In As P и In Ga As (чувствительные к видимому свету и инфракрасному излучению с длиной волны до 1,5 мкм). ИЧ непрозрачных Фотокатод нового типа достигает 1500 мка/лм и более. ИЧ полупрозрачных новых Фотокатод сравнительно невелика. Так, у Фотокатод с толщиной плёнки 1–2 мкм из Ga As ИЧ не превышает 400 мка/лм, т. е. меньше, чем у полупрозрачных многощелочных Фотокатод Технология изготовления Фотокатод нового типа значительно сложнее, чем обычных, поэтому Фотокатод с отрицательным электронным сродством ещё не получили широкого распространения.
Лит. см. при ст. Фотоэлектронная эмиссия .
П. В. Тимофеев.