Полупроводниковый стабилитрон, полупроводниковый диод , на выводах которого напряжение остаётся почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нём электрического тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики Полупроводниковый стабилитрон находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р—n-перехода. При напряжениях пробоя U np <5 в механизм резкого возрастания тока (пробой) связан с туннельным эффектом , а при U np > 6,5 в — с лавинным умножением носителей заряда; при промежуточных напряжениях генерируемые первоначально (вследствие туннельного эффекта) носители заряда создают условия для управляемого лавинного пробоя. В СССР выпускаются (1975) кремниевые Полупроводниковый стабилитрон на различные номинальные напряжения стабилизации в диапазоне от 3 до 180 в. Полупроводниковый стабилитрон применяют главным образом для стабилизации напряжения и ограничения амплитуды импульсов, в качестве источника опорного напряжения, в потенциометрических устройствах.
Лит.: Михин Д. В., Кремниевые стабилитроны, М. — Л., 1965.
И. Г. Васильев.