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International Rectifier,ゲート駆動電圧が4.5Vと低いパワーMOSFETを発売
ニュース 2004年5月19日
米国International Recrifier社は,ゲート駆動電圧が4.5Vと低いパワーMOSFET「HEXFET」の国内でのサンプル出荷を開始した.ON抵抗やドレイン電流などの異なる5品種を用意する.電動パワー・ステアリングや直流ブラシ/ブラシレス・モータ制御など,自動車分野での需要を見込んでいる.
ON抵抗がもっとも小さい「IRL1404ZS」の場合,ゲート-ソース電圧が10VのときのON抵抗は3.1mΩ,4.5Vときは5.9mΩ.ON抵抗を低減するため,本MOSFETはSi基板にトレンチ(溝)構造を形成する技術を用いている.
IRL1404ZSの接合温度は+175°C.耐圧は40V,ドレイン電流は75Aである.接合部とパッケージの間の熱抵抗は0.65°C/W。
[表1] HEXFETパワーMOSFETの概要
VGS=10V
VGS=4.5V
■しかく価格
437円(IRL1404ZS,サンプル価格)
■しかく連絡先
インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン株式会社
TEL: 03-3983-0086
URL: http://www.irf-japan.com/