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NEC化合物デバイス,5GHz帯機器向けのSiGeトランジスタを発売

ニュース 2002年7月24日

》 2002年7月のニュース

NEC化合物デバイスは,周波数帯域が5GHzの機器で利用できるシリコン・ゲルマニウム(SiGe)トランジスタ「NESG2101M05」,「NESG2031M05」,「NESG2021M05」を発売した.無線LANや携帯電話などの無線通信機器における信号増幅に使われる.NESG2101M05は低ひずみが,MESG2031M05は低ノイズが,NESG2021M05は低ノイズ,高利得,低消費電流が特徴である.

本トランジスタは,同社のプロセス技術「UHS2」と選択的エピタキシャル・ベース成長の技術によって製造されている.UHS2とは,半導体にイオン注入やパターン描画を行うときのズレを自動的に補正する技術(セルフアライン)である.また,選択的エピタキシャル・ベース成長とは,トランジスタのベース層になる部分の半導体を結晶成長させるプロセス技術である.従来のSiGeプロセスは,周波数を高くすると耐圧が低下するという問題があった.一方,本トランジスタのコレクタ-エミッタ間の耐圧は最小5Vである.

2012(×ばつ1.2mm)型の4ピン・パッケージに封止して出荷する.量産出荷は2002年9月に開始する予定.


[写真1] NESGシリーズの外観

[表1] NESGシリーズの仕様

型名
NESG2012M05
NESG2031M05
ノイズ指数(NF)
0.9dB(VCE=2V,IC=3mA,f=2GHzのとき)
0.8dB(VCE=2V,IC=5mA,f=2GHzのとき)
NF利得(Ga)
最小18dB(VCE=2V,IC=3mA,f=2GHzのとき)
最小17dB(VCE=2V,IC=5mA,f=2GHzのとき)
ノイズ指数(NF)
1.3dB(VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHzのとき)
1.3dB(VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHzのとき)
NF利得(Ga)
最小11dB(VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHzのとき)
最小10dB(VCE=2V,IC=5mA,f=5.2GHzのとき)
安定電力利得(MSG)
最大22.5dB(VCE=2V,IC=10mA,f=2GHzのとき)
最大21.5dB(VCE=3V,IC=20mA,f=2GHzのとき)
コレクタ-エミッタ間の耐圧(Vceo)
最小5V
型名
NESG2101M05
出力電力(Po)
21.0dBm(VCE=3.2V,ICq=10mA,f=2GHz,1dBに圧縮したとき)
線形利得(GL)
16.0dB(VCE=3.2V,ICq=10mA,f=2GHzのとき)
安定電力利得(MSG)
最大17.0dB(VCE=3.0V,ICq=50mA,f=2GHzのとき)
コレクタ-エミッタ間の耐圧(Vceo)
最小5V

■しかく価格
30円(NESG2101M05)
30円(NESG2031M05)
50円(NESG2021M05)

■しかく連絡先
NEC化合物デバイス株式会社
TEL: 044-435-1918
E-mail: techinfo@csd-nec.com
URL: http://www.csd-nec.com/

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