東芝,ランダム・アクセス時間が25nsと速い256MビットのFCRAMを発売

ニュース 2002年1月22日

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東芝は,ランダム・アクセス時間が25nsと速い256MビットのFCRAM(Fast Cycle RAM)を発売した.既存のDRAM製品と比べて,ランダム・アクセス時間は1/2以下である.書き込み時のCAS(column address strobe)レイテンシを小さくしたことで,処理性能が上がり,バス効率が高くなったという.CASレイテンシとは,読み出しコマンド入力からデータ出力までのクロック数である.CASレイテンシの値が小さいほど処理性能が高い.

×ばつ8ビット.データ転送速度は308Mbps〜400Mbps,動作周波数は154MHz〜200MHzである.

電源電圧は2.5V,入出力インターフェースはSSTL-2である.消費電力は既存のDRAM製品と比べて約30%減るという.製造プロセスの設計ルールは0.175μm.パッケージは66ピンの薄型SOP.

量産出荷の開始時期は2002年第2四半期.なお,同社は本製品を富士通と共同で開発した.

[写真1] FCRAMの外観

[表1] FCRAMの概要