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東芝,DRAMセル構造をとる64Mビット擬似SRAMを発売
ニュース 2001年9月26日
東芝は,記憶容量が64Mビットの擬似SRAM(Pseudo SRAM)「TC51W6416XB-80」,「TC51W6416XB-85」,「TC51W6417XB-80」,「TC51W6417XB-85」を発売する.この記憶容量は,擬似SRAMにおいては最大だという.携帯機器などに利用できる.
擬似SRAMとは,セルの構造がDRAMと同じ1トランジスタ,1キャパシタで,入出力インターフェースをSRAMと同じ仕様にしたメモリである.従来のSRAMよりメモリ・セルのサイズが小さくなるため,高速化と大容量化を図れる.
本メモリは,0.175μmのCMOS技術を用いて製造する.電源電圧は2.5〜3.1V.通常の待機時電流(スタンバイ電流)は100μA,データを保持していないときの待機時電流(ディープ・スタンバイ電流)×ばつ16ビット.データへのアクセス時間は,TC51W6416XB-80とTC51W6417XB-80が80ns,TC51W6416XB-85とTC51W6417-XB-85が85nsである.リフレッシュ機能を内蔵しており,外部からリフレッシュ制御を行う必要がない.パッケージは48ピンのFBGA(×ばつ9mm).
サンプル出荷の開始時期は2001年10月末.2002年1月より量産出荷を開始する.積層型のマルチチップ・モジュール(3次元実装)に利用できるように,ダイ・チップの形態でも供給する.
[写真1] TC51W6417XB-80(上)とTC51W6416XB-80(下)
■しかく価格
5,000円(サンプル価格)
■しかく連絡先
株式会社東芝
TEL: 045-890-2708
URL: http://www.toshiba.co.jp/